近期，我院杨亚利博士与复旦大学向红军教授通过开展第一性原理计算和利用PASP构建哈密顿模型并进行自旋-晶格动力学模拟，提出了一种新型单分子多铁模型。在揭示了该单分子多铁的实现条件的基础上，通过构造实际的单分子多铁体系，进一步验证了该新型单分子多铁模型的可行性。多铁性单分子不仅尺寸小，而且可以实现电偶极子和磁矩的共存甚至耦合。若使用多铁性单分子作为单个存储单元，将不仅可以向终极存储迈进，还可以实现电写+磁读，以提高数据存储效率。研究成果以论文形式“Toward Ultimate Memory with Single-Molecule Multiferroics”，发表在国际顶级化学期刊《Journal of the American Chemical Society》上。杨亚利博士为论文第一作者。
简化的单分子多铁模型示意图及自旋-晶格动力学模拟
实际的单分子多铁系统Co(NH3)4N@SWCNT示意图
论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.3c09294
